절연 게이트 양극 트랜지스터(IGBT) 시장은 2023년부터 2033년까지 예측 기간 동안 연평균 성장률(CAGR) 8.3%로 성장해 149억 달러를 넘을 것으로 예상됩니다.

영국의 절연 게이트 양극성 트랜지스터(IGBT) 시장 가치는 예측 기간 동안 CAGR 8.1% 증가하여 미화 5억 2,220만 달러에 이를 것으로 예상됩니다. 이 지역의 시장 발전은 전기 및 하이브리드 차량의 판매 증가, 영국의 전기화 추세 증가 및 휘발유 가격 상승에 기인합니다.

델라웨어 뉴워크, May 09, 2023 (GLOBE NEWSWIRE) -- 2023년 전 세계 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 시장 규모는 미화 67억 달러에 이를 것으로 예상됩니다. 다양한 산업 분야에서 기술적으로 개선된 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터의 적용이 증가함에 따라 시장 성장. 시장 규모는 2033년 149억 달러로 추정되며, 2023년부터 2033년까지 연평균 성장률(CAGR) 8.3%를 기록할 것으로 예상됩니다.

글로벌 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 시장은 산업 제조 및 가전제품의 수요 증가로 인해 예측 기간 동안 계속해서 성장할 것으로 예상됩니다.

절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 시장의 성장을 촉진하는 요인 중 하나는 전압 및 전류와의 호환성이 더 높은 MOSFET(금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터) 대안에 대한 수요 증가를 포함합니다.

IGBT(절연 게이트 양극성 트랜지스터)는 스위칭 손실을 낮추고 전기 기기의 열 스트레스를 줄이는 기능으로 인해 가전 제품에서 인기를 얻고 있습니다. 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터는 전자레인지, 스테레오 시스템, 가변 속도 냉장고에 사용되며 예측 기간 동안 시장 성장을 주도할 것으로 예상됩니다.

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유럽과 북미 지역의 전기화에 대한 투자 증가로 인해 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터에 대한 수요가 증가할 것으로 보입니다. 자동차 산업의 기술 발전 증가와 인도 및 중국과 같은 신흥 경제의 전자 자동차 판매 증가는 예측 기간 동안 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 시장 성장을 주도할 것으로 예상됩니다.

풍력 및 태양광 발전 산업의 애플리케이션 증가로 인해 시장 성장 기회가 창출되었습니다. 재생 가능 전력원에 대한 수요 증가는 예측 기간 동안 시장의 성장을 이끌 것으로 예상됩니다.

주요 시사점:

정격 전력을 기준으로 고전력 부문은 CAGR 8.6%를 차지합니다.

유형별로는 IGBT 모듈 부문이 예측 기간 동안 CAGR 8.9%로 확장될 것으로 예상됩니다.

북미는 연평균 성장률(CAGR) 8.3%를 기록하며 유망 시장으로 부상할 것입니다.

아시아 태평양 지역은 기회주의적인 시장으로 예측 기간 동안 연평균 성장률(CAGR) 8.0%를 기록할 것으로 예상됩니다.

"최종 사용 산업의 수요 증가와 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터의 기술 혁신이 예측 기간 동안 시장을 주도할 것으로 예상됩니다. 자동차 산업에 대한 수요 증가와 전 세계적으로 전기 자동차 판매 증가는 시장에서 중요한 역할을 할 것으로 예상됩니다. 시장을 강화하는 것"이라고 FMI의 분석가는 말합니다.

경쟁 구도:

절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 시장의 주요 업체는 Infineon Technologies AG입니다. NXP 반도체 NV; 마이크로칩 테크놀로지, Inc.; 마이크로세미 코퍼레이션; Fuji Electric Co., Ltd. 등이 있습니다. 시장의 최근 발전 중 일부는 다음과 같습니다.

2020년 10월 - Microchip Technology Inc.는 스마트 그리드 및 기타 산업용 애플리케이션을 위한 고정밀 GPS 및 원자시계 시간 유지 기술과 솔루션을 제공하는 글로벌 리더인 Tekron International Limited를 인수했다고 발표했습니다.

2021년 6월 – 자동차 처리 분야의 세계적 리더인 NXP Semiconductors NV와 TSMC는 TSMC의 고급 16나노미터(nm) FinFET 공정 기술을 기반으로 NXP의 S32G2 차량 네트워크 프로세서와 S32R294 레이더 프로세서를 대량 생산한다고 발표했습니다.